삼성전자, 올해 시설투자에 '사상 최대' 53.7조…"HBM 생산능력 확보"

[이데일리 최영지 기자] 삼성전자(005930)는 올해 연간 시설투자에 약 53조7000억원을 집행한다고 31일 공시했다. 반도체와 디스플레이 등 주력 부품사업 역량을 제고하기 위한 것으로, 연간 최대규모 시설투자다.

삼성전자 평택캠퍼스 전경. (사진=삼성전자)

삼성전자의 이같은 연간 시설투자 금액을 사업별로 보면 디바이스솔루션(DS) 부문이 47조5000억원, 디스플레이 부문이 3조1000억원이다.

3분기 시설투자는 11조4000억원이며, 사업별로 DS부문 10조2000억원, 디스플레이 7000억원 수준이다. 3분기 누계로는 36조7000억원이 집행됐으며 DS부문 33조4000억원, 디스플레이 1조6000억원 수준이다.

삼성전자는 “메모리반도체의 경우 중장기 수요 대응을 위한 평택 3기 마감, 4기 골조 투자 및 기술 리더십 강화를 위한 연구개발(R&D)용 투자 비중 확대가 예상된다”고 밝혔다. 특히 업계 최고 생산 수준의 고대역폭메모리(HBM) 생산능력 확보를 위한 투자 등 신기술 투자를 적극적으로 진행하고 있다고도 했다.

파운드리(반도체 위탁생산)는 첨단공정 수요 대응을 위한 평택 생산능력 확대 및 미래 대응을 위한 미국 테일러 공장 인프라 투자 등으로 전년 대비 증가할 것으로 전망된다.

디스플레이는 IT용 유기발광다이오드(OLED) 및 플렉시블 제품 대응을 위한 투자 위주로 집행될 예정이다.

삼성전자는 앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자 및 R&D 투자를 꾸준히 이어갈 방침이다.