20兆 공격 투자…JY 공들인 삼성 기흥 R&D 거점 시동(종합)

[이데일리 김응열 기자] 삼성전자가 차세대 반도체 연구개발(R&D)에 속도를 낸다. 기흥캠퍼스에 구축 중인 최첨단 반도체 R&D 단지에서 설비 반입식을 개최하며 ‘기술 초격차’ 시동을 걸었다. 이재용 회장은 그동안 삼성 반도체가 태동한 기흥캠퍼스의 새로운 R&D 거점에 공을 들여왔다.

18일 삼성전자 기흥캠퍼스에서 열린 NRD-K 설비반입식에서 전영현 삼성전자 부회장이 기념사를 하고 있다. (사진=삼성전자)

삼성전자(005930)는 18일 경기 용인 기흥캠퍼스에서 차세대 반도체 R&D 단지인 ‘New Research & Development-K’(NRD-K) 설비 반입식을 열었다. NRD-K는 미래 반도체 기술 선점을 위해 건설 중인 10만9000㎡(약 3만3000평) 규모의 최첨단 복합 R&D 단지다. 오는 2030년까지 총 투자 규모가 20조원에 달한다.

전영현 삼성전자 DS부문장 부회장은 이날 기념사를 통해 “NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계를 확립해 개발 속도를 획기적으로 개선할 것”이라며 “삼성전자 반도체 50년의 역사가 시작된 기흥에서 재도약의 발판을 다져 새로운 100년의 미래를 만들겠다”고 강조했다.

삼성전자로서는 이번 장비 반입식의 의미가 여느 행사보다 크다. 삼성전자 기흥캠퍼스는 1983년 9월 양산라인 착공을 시작으로 반도체 사업이 태동한 곳이다. 약 10년 뒤인 1992년 이곳에서 세계 최초로 64M D램을 개발했고 이듬해 메모리 분야 1위에 오르는 등 삼성전자가 메모리 초일류로 올라서는 발판 역할을 했다. 새로 짓는 NRD-K는 삼성 메모리 경쟁력을 한층 더 끌어올릴 수 있는 계기가 될 수 있다는 평가다.

삼성전자 기흥캠퍼스 NRD-K 전경. (사진=삼성전자)

NRD-K는 메모리, 시스템반도체, 파운드리(반도체 위탁생산) 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 고도의 인프라를 갖출 예정이다. 전 분야의 연구 조직을 한데 모아 시너지를 극대화하고 기술 개발 성과가 실제 제품 출시로 이뤄지는 속도를 단축하겠다는 전략이다.

특히 차세대 메모리 개발에 활용할 고해상도 극자외선(EUV) 노광설비, 신물질 증착 설비 등 최첨단 생산 설비와, 웨이퍼 두 장을 이어 붙여 혁신적 구조를 구현하는 웨이퍼 본딩 인프라 등을 도입해 최첨단 기술의 산실 역할을 할 전망이다.

차세대 고대역폭메모리(HBM), 초고층 낸드플래시 제조에 필요한 하이브리드 본딩 역시 이 시설에서 연구할 것으로 알려졌다. 6세대 HBM인 HBM4 이후부터는 하이브리드 본딩 활용 가능성이 점쳐지고 400단 이상 낸드에서도 안정적 생산을 위해 하이브리드 본딩이 요구될 전망이다.

삼성전자 HBM3E. (사진=삼성전자)

‘기술 심장’이라는 중요성 때문에 이재용 회장 역시 지난해 10월 건설 현장을 직접 방문했다. 이 회장은 “대내외 위기가 지속하는 가운데 다시 한번 반도체 사업이 도약할 수 있는 혁신의 전기를 마련해야 한다”며 기술 리더십과 선행 투자를 주문했었다.

삼성전자는 그 어느 때보다 NRD-K를 통한 경쟁력 확보가 절실한 상황이다. HBM 수요 대응에 늦어 AI 메모리 리더십이 흔들리고 있어서다. 삼성전자는 올해 3분기 R&D에 분기 기준 역대 최대치인 8조8700억원을 쏟았는데, 추후 더 공격적인 R&D로 기술 초격차 고삐를 당기겠다는 방침이다.

삼성전자 관계자는 “NRD-K는 다시 한 번 기술 경쟁력을 공고히 다지는 반도체 기술의 심장과 같은 곳이 될 것”이라고 말했다.

18일 기흥캠퍼스에서 열린 NRD-K 설비반입식에 참석한 삼성전자 및 주요 협력사 관계자들이 기념촬영을 하고 있다. (사진=삼성전자)